RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2066
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link