Confronto tra le RAM Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Punteggio complessivo

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 73

Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.3 15.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.8 9.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2646 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns