RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
73
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
1843
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link