RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3244
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link