RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3244
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link