RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
1974
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link