Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 59
    Intorno -90% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    731 left arrow 3043
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