Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 59
    Wokół strony -90% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    731 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania