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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
56
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,760.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
6400
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR3
Latenza in PassMark, ns
56
26
Velocità di lettura, GB/s
4,086.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,760.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
10600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
538
2238
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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