RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.9
    テスト平均値
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 56
    周辺 -115% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 1,760.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    4,086.5 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,760.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    538 left arrow 2238

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
メモリRAM