RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
71
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
71
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
1757
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link