RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
71
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
1757
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link