RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3579
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link