RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
47
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
47
Velocità di lettura, GB/s
22.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2308
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link