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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
2,366.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
61
65
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
65
61
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
4,614.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
2,366.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
772
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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