Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    61 left arrow 65
    Wokół strony -7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 4
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    65 left arrow 61
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,605.9 left arrow 4,614.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    878 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania