RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
52
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,906.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
36
Velocità di lettura, GB/s
4,672.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
698
2231
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link