RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.6
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 52
    周辺 -44% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 1,906.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    4,672.4 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,906.4 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    698 left arrow 2231

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
メモリRAM