RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
13.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3419
3091
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link