RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2888
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link