RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2888
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link