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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2427
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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