Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.9 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.5 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 8500
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 19.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 14.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1988 left arrow 3357
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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