Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Por volta de 10% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    19.9 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.5 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 8500
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 19.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 14.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1988 left arrow 3357
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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