RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
56
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
24
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3158
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link