RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
56
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.8
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
41
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
7.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
1512
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link