RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
63
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
3,139.2
1,813.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
56
63
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
4,027.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
3,139.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
739
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link