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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
49
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
20
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2965
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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