Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 49
    Intorno -58% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.9 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 8.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    49 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.9 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.7 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2427 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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