RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
8.0
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2126
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link