RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2126
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link