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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2876
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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