RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2876
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link