RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
it
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 11.5
    Valore medio nei test
Inmos + 256MB Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 104
    Intorno -247% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 2,404.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    16800 left arrow 6400
    Intorno 2.63 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    104 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,192.0 left arrow 11.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,404.5 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descrizione
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    786 left arrow 2318

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Inmos + 256MB Confronto tra le RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
Memoria RAM
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Memoria RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Memoria RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Memoria RAM