RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
6400
Intorno 2.63 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
16800
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2318
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link