Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 104
    左右 -247% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 2,404.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    16800 left arrow 6400
    左右 2.63 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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