RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Confronto
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
55
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
13.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
41
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2701
3006
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link