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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
55
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
13.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
45
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2701
3027
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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