RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
55
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
13.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
45
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2701
3027
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link