RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
45
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
22
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3509
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link