RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
47
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
35
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2502
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link