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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2502
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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