RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
58
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
58
Velocità di lettura, GB/s
13.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
1968
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link