Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    44 left arrow 58
    Por volta de 24% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.7 left arrow 13
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 58
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.0 left arrow 17.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.2 left arrow 9.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2069 left arrow 1968
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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