RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3037
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link