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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
73
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
73
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1712
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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