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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2460
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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