Confronto tra le RAM SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Motivi da considerare
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

52 61

Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

5 4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,384.7 2,042.4

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

860 1037

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns