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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
54
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
54
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2264
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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