RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
54
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
54
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2264
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link