RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2925
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link